| 标题 | 考研资料 上海交通大学2011年半导体基础真题 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 类别 | 考研-考研专业 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 内容 |
一、1.半导体能带形成原因2.绝缘体 导体 半导体 能带图3.算一个半导体的吸收限 二、算扩散电流 三、1.基区宽度调变效应2.根据基区宽度调变效应的计算 四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数 五、算mos管的跨导 六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化 七、算有效阈值电压与阈值电压的差值
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